casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M48Z35Y-70MH6E
Número da peça de fabricante | M48Z35Y-70MH6E |
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Número da peça futura | FT-M48Z35Y-70MH6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M48Z35Y-70MH6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-SOH |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z35Y-70MH6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M48Z35Y-70MH6E-FT |
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel