casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M48Z35AV-10MH6F
Número da peça de fabricante | M48Z35AV-10MH6F |
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Número da peça futura | FT-M48Z35AV-10MH6F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M48Z35AV-10MH6F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-SOH |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z35AV-10MH6F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M48Z35AV-10MH6F-FT |
W632GU6MB12I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
EPF8820ATC144-3
Intel
M2GL025T-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEB6R2F43C2L
Intel
EP4SE360F35C4
Intel
XC5VLX50T-3FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FFG901C
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100I
Microsemi Corporation
A40MX04-PQ100M
Microsemi Corporation
EP3CLS100F780I7
Intel
EP1S25F1020I6N
Intel