casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M48Z35AV-10MH1E
Número da peça de fabricante | M48Z35AV-10MH1E |
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Número da peça futura | FT-M48Z35AV-10MH1E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M48Z35AV-10MH1E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 3V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 28-SOP (0.350", 8.89mm Width) with SNAPHAT Sockets |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-SOH |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z35AV-10MH1E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M48Z35AV-10MH1E-FT |
W632GU6MB11I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I
Winbond Electronics
W632GU6MB12I TR
Winbond Electronics
W632GU6MB15I
Winbond Electronics
W632GU6MB15I TR
Winbond Electronics
TH58NVG5S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG2S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58BVG2S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG3S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
XA6SLX75-2FGG484Q
Xilinx Inc.
A3PE3000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C16F256I7
Intel
5SGSED6K1F40C2L
Intel
XC5VLX50T-2FF1136C
Xilinx Inc.
XC7K160T-L2FFG676E
Xilinx Inc.
XC4VLX15-11FF676I
Xilinx Inc.
LFE2-70SE-6F672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation