casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M48Z18-100PC1
Número da peça de fabricante | M48Z18-100PC1 |
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Número da peça futura | FT-M48Z18-100PC1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M48Z18-100PC1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamanho da memória | 64Kb (8K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 100ns |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-PCDIP, CAPHAT® |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M48Z18-100PC1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M48Z18-100PC1-FT |
TC58NVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HTAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3ETA00
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3ETAI0
Toshiba Memory America, Inc.
TC58NVG1S3HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel