casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29W640GH70NB6E
Número da peça de fabricante | M29W640GH70NB6E |
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Número da peça futura | FT-M29W640GH70NB6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29W640GH70NB6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 56-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GH70NB6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29W640GH70NB6E-FT |
JS28F00AP33BF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33BFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33EF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33EFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33TF
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33TFA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
LCMXO2-1200ZE-1UWG25ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S25B672C6N
Intel
XC2V1000-4BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX50T-2FFG1136C
Xilinx Inc.
AGL125V5-QNG132
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-CM121
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29C4N
Intel
EPF10K30RC208-3N
Intel
5SGXMA3H1F35C1N
Intel