casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29W640GH70NB6E
Número da peça de fabricante | M29W640GH70NB6E |
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Número da peça futura | FT-M29W640GH70NB6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29W640GH70NB6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 64Mb (8M x 8, 4M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 56-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W640GH70NB6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29W640GH70NB6E-FT |
JS28F00AP33BF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33BFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33EF0
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33EFA
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33TF
Micron Technology Inc.
JS28F00AP33TFA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWBA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWHA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWLA
Micron Technology Inc.
JS28F064M29EWTA
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel