casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29W400DB55ZE6E
Número da peça de fabricante | M29W400DB55ZE6E |
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Número da peça futura | FT-M29W400DB55ZE6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29W400DB55ZE6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 4Mb (512K x 8, 256K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TFBGA (6x9) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W400DB55ZE6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29W400DB55ZE6E-FT |
M58LW064D110N6
STMicroelectronics
MT28F128J3RG-12 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RG-12 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 ET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 MET
Micron Technology Inc.
MT28F128J3RP-12 MET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 ET TR
Micron Technology Inc.
MT28F320J3RG-11 GMET
Micron Technology Inc.