casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29W200BT70N6E
Número da peça de fabricante | M29W200BT70N6E |
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Número da peça futura | FT-M29W200BT70N6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29W200BT70N6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 2Mb (256K x 8, 128K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W200BT70N6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29W200BT70N6E-FT |
MT29F8G16ADBDAH4-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F8G16ADBDAH4:D
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-IT:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-IT:D
Micron Technology Inc.
MT29F1G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAEAWP-ITX:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBACAWP-Z:C TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08ABADAWP-ITX:D TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I1
Intel
EP4SE820F43I4N
Intel
5SGXMA7K1F35C2LN
Intel
XC6VLX365T-L1FF1759I
Xilinx Inc.
XC2VP30-7FFG896C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FG144
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXBC4C7U19C8N
Intel
EP1S25F1020C5
Intel