casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29W128GL7AZS6E
Número da peça de fabricante | M29W128GL7AZS6E |
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Número da peça futura | FT-M29W128GL7AZS6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29W128GL7AZS6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 64-LBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 64-FBGA (11x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GL7AZS6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29W128GL7AZS6E-FT |
M29F200FB55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FB55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55M3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55M3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F200FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F200FT5AM6F2 TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel