casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29W128GH7AZS6E
Número da peça de fabricante | M29W128GH7AZS6E |
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Número da peça futura | FT-M29W128GH7AZS6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29W128GH7AZS6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 64-LBGA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 64-FBGA (11x13) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29W128GH7AZS6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29W128GH7AZS6E-FT |
M29F080D70N6
Micron Technology Inc.
M29F080D70N6E
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5AN6F2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FB5KN3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FB5KN3E2 TR
Micron Technology Inc.
M29F160FT55N3E2
Micron Technology Inc.
M29F160FT55N3F2 TR
Micron Technology Inc.
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel