casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29F800DB55N6E
Número da peça de fabricante | M29F800DB55N6E |
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Número da peça futura | FT-M29F800DB55N6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29F800DB55N6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 8Mb (1M x 8, 512K x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 55ns |
Tempo de acesso | 55ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 48-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29F800DB55N6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29F800DB55N6E-FT |
MT29F2G08ABBEAHC:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDHC-ET:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABDHC:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAH4:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC-IT:E TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABBEAHC:E
Micron Technology Inc.
MT29F2G16ABDHC-ET:D TR
Micron Technology Inc.
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel