casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M29DW127G70NF6E
Número da peça de fabricante | M29DW127G70NF6E |
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Número da peça futura | FT-M29DW127G70NF6E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M29DW127G70NF6E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Tamanho da memória | 128Mb (16M x 8, 8M x 16) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 70ns |
Tempo de acesso | 70ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 56-TSOP (14x20) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M29DW127G70NF6E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M29DW127G70NF6E-FT |
M24128-BFCS6TP/A
STMicroelectronics
M25P05-AVMB6TP TR
Micron Technology Inc.
M25P10-AVMB3TP/Y TR
Micron Technology Inc.
M25P10-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P16-V6D11
Micron Technology Inc.
M25P20-AV3D11
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB3TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMB6TPB TR
Micron Technology Inc.
M25P40-VMP6TGB0D TR
Micron Technology Inc.
M25PE10-VD11
Micron Technology Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel