casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M27W512-100N6
Número da peça de fabricante | M27W512-100N6 |
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Número da peça futura | FT-M27W512-100N6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M27W512-100N6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EPROM |
Tecnologia | EPROM - OTP |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-TSOP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27W512-100N6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M27W512-100N6-FT |
BR93G56FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G56FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR93G76FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G86FVJ-3AGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G86FVJ-3BGTE2
Rohm Semiconductor
BR93G86FVJ-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR93L86RFVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR24G01F-3GTE2
Rohm Semiconductor
BR24L04FVJ-WE2
Rohm Semiconductor
BR24S128F-WE2
Rohm Semiconductor
XA2S200E-6FT256Q
Xilinx Inc.
APA450-FG484
Microsemi Corporation
APA1000-PQG208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-6900C-5BG400C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED8K3F40C2L
Intel
10CL025YE144I7G
Intel
XC7VX690T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
5AGXBB5D4F35C5N
Intel
EP3SL150F780C2N
Intel
EPF10K200SBC356-3
Intel