casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M27C512-12F1
Número da peça de fabricante | M27C512-12F1 |
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Número da peça futura | FT-M27C512-12F1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M27C512-12F1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EPROM |
Tecnologia | EPROM - UV |
Tamanho da memória | 512Kb (64K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 120ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-CDIP Frit Seal with Window |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C512-12F1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M27C512-12F1-FT |
TH58NVG3S0HTA00
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0FTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America