casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M27C256B-15F1

| Número da peça de fabricante | M27C256B-15F1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-M27C256B-15F1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| M27C256B-15F1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de memória | Non-Volatile |
| Formato de memória | EPROM |
| Tecnologia | EPROM - UV |
| Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
| Freqüência do relógio | - |
| Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
| Tempo de acesso | 150ns |
| Interface de memória | Parallel |
| Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
| Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-CDIP Frit Seal with Window |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| M27C256B-15F1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | M27C256B-15F1-FT |

THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.

THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.

R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America

RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America

R1LP0408DSB-5SI#S1
Renesas Electronics America

RMLV0408EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America

R1LP0408DSB-5SI#B0
Renesas Electronics America

R1LP0408DSB-5SI#S0
Renesas Electronics America

XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.

XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.

A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation

5CEBA4F17C6N
Intel

EP4CE22E22C8L
Intel

LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation

5CEFA7F23I7N
Intel

5AGTFC7H3F35I3G
Intel