casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M27C256B-12F1
Número da peça de fabricante | M27C256B-12F1 |
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Número da peça futura | FT-M27C256B-12F1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M27C256B-12F1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EPROM |
Tecnologia | EPROM - UV |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 120ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-CDIP Frit Seal with Window |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C256B-12F1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M27C256B-12F1-FT |
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#HA1
Renesas Electronics America
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel