casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M27C256B-10F1
Número da peça de fabricante | M27C256B-10F1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-M27C256B-10F1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M27C256B-10F1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EPROM |
Tecnologia | EPROM - UV |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | - |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | - |
Tempo de acesso | 100ns |
Interface de memória | Parallel |
Tensão - fonte | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 28-CDIP (0.600", 15.24mm) Window |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 28-CDIP Frit Seal with Window |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M27C256B-10F1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M27C256B-10F1-FT |
TH58NVG4S0HTA20
Toshiba Memory America, Inc.
TH58NVG4S0HTAK0
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMNG5D1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G8T23BAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T1T83BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8T0T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGAF8G9T43BAIR
Toshiba Memory America, Inc.
R1LP0408DSB-5SI#B1
Renesas Electronics America
RMLV0408EGSB-4S2#AA1
Renesas Electronics America
R1LP0408DSB-5SI#S1
Renesas Electronics America
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel