casa / produtos / Circuitos Integrados (ICs) / Memória / M24256-BWMN6TP
Número da peça de fabricante | M24256-BWMN6TP |
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Número da peça futura | FT-M24256-BWMN6TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
M24256-BWMN6TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo de memória | Non-Volatile |
Formato de memória | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Tamanho da memória | 256Kb (32K x 8) |
Freqüência do relógio | 1MHz |
Escrever tempo de ciclo - Word, página | 5ms |
Tempo de acesso | 450ns |
Interface de memória | I²C |
Tensão - fonte | 2.5V ~ 5.5V |
Temperatura de operação | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-SO |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
M24256-BWMN6TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | M24256-BWMN6TP-FT |
THGBMHG7C1LBAIL
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG7C2LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG8C4LBAWR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C4LBAIR
Toshiba Memory America, Inc.
THGBMHG9C8LBAWG
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BVG2S0HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG0S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
TC58BYG1S3HBAI4
Toshiba Memory America, Inc.
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel