casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / LS412660
Número da peça de fabricante | LS412660 |
---|---|
Número da peça futura | FT-LS412660 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
LS412660 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 2600V |
Atual - Média Retificada (Io) | 600A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.18V @ 1500A |
Rapidez | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 40mA @ 2600V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | POW-R-BLOK™ Module |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | POW-R-BLOK™ Module |
Temperatura de funcionamento - junção | -40°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LS412660 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LS412660-FT |
EGL41BHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41CHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41FHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41GHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41GHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
Intel
XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX60DF780C5N
Intel
EP1S40F1020I6N
Intel