casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / LR2F1M0
Número da peça de fabricante | LR2F1M0 |
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Número da peça futura | FT-LR2F1M0 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LR, Neohm |
LR2F1M0 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 1 MOhms |
Tolerância | ±1% |
Potência (Watts) | 0.75W, 3/4W |
Composição | Metal Film |
Características | - |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.138" Dia x 0.382" L (3.50mm x 9.70mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LR2F1M0 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LR2F1M0-FT |
LR0204F11K
TE Connectivity Passive Product
LR0204F110K
TE Connectivity Passive Product
LR0204F110R
TE Connectivity Passive Product
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LR0204F100K
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LR0204F100R
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LR0204F1K8
TE Connectivity Passive Product
LR0204F1K6
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XC3SD1800A-4CS484LI
Xilinx Inc.
A3P400-1PQG208
Microsemi Corporation
A54SX72A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5QN84I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EFC672-2
Intel
EPF10K130EFC672-2X
Intel
EP2S30F484C5
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5CGTFD9C5F23I7N
Intel
EPF10K30BC356-3
Intel