casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW18AS51NG0ZD
Número da peça de fabricante | LQW18AS51NG0ZD |
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Número da peça futura | FT-LQW18AS51NG0ZD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW18 |
LQW18AS51NG0ZD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 51nH |
Tolerância | ±2% |
Classificação atual | 600mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 270 mOhm Max |
Q @ Freq | 35 @ 200MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1.9GHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 250MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS51NG0ZD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW18AS51NG0ZD-FT |
LQW18AN68NG80D
Murata Electronics North America
LQW18AN68NJ80D
Murata Electronics North America
LQW18AN69NG80D
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LQW18AN69NJ80D
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LQW18AN6N0C80D
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LQW18AN6N5C80D
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LQW18AN6N5G8ZD
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LQW18AN6N8C10D
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LQW18AN6N8C80D
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LQW18AN6N8D00D
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XC3S50AN-5TQG144C
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XA3S200-4FTG256Q
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M1A3P600-1FGG484
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A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation