casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW18AS11NG0ZD
Número da peça de fabricante | LQW18AS11NG0ZD |
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Número da peça futura | FT-LQW18AS11NG0ZD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW18 |
LQW18AS11NG0ZD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 11nH |
Tolerância | ±2% |
Classificação atual | 700mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 86 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 4GHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 250MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AS11NG0ZD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW18AS11NG0ZD-FT |
LQW18AN43NG8ZD
Murata Electronics North America
LQW18AN44NG8ZD
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5SGXEA7K3F40C2
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Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel