casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW18ANR39G80D
Número da peça de fabricante | LQW18ANR39G80D |
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Número da peça futura | FT-LQW18ANR39G80D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW18 |
LQW18ANR39G80D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 390nH |
Tolerância | ±2% |
Classificação atual | 190mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 4.23 Ohm Max |
Q @ Freq | 25 @ 100MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1.1GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18ANR39G80D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW18ANR39G80D-FT |
LQW18AN51NJ80D
Murata Electronics North America
LQW18AN52NG80D
Murata Electronics North America
LQW18AN52NJ80D
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M1AGL1000V5-CSG281
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A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
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LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
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