casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW18ANR11G80D
Número da peça de fabricante | LQW18ANR11G80D |
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Número da peça futura | FT-LQW18ANR11G80D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW18 |
LQW18ANR11G80D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 110nH |
Tolerância | ±2% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 700 mOhm Max |
Q @ Freq | 32 @ 150MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 1.73GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18ANR11G80D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW18ANR11G80D-FT |
LQW18AN36NG80D
Murata Electronics North America
LQW18AN36NJ80D
Murata Electronics North America
LQW18AN37NG80D
Murata Electronics North America
LQW18AN37NJ80D
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LQW18AN39NJ80D
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LQW18AN3N6C00D
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LQW18AN3N9B80D
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LQW18AN3N9C00D
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LQW18AN3N9C10D
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LQW18AN3N9C80D
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XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel