casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW18AN4N2C8ZD
Número da peça de fabricante | LQW18AN4N2C8ZD |
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Número da peça futura | FT-LQW18AN4N2C8ZD |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW18 |
LQW18AN4N2C8ZD Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 4.2nH |
Tolerância | ±0.2nH |
Classificação atual | 2.2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 250MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 10GHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0603 (1608 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0603 (1608 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.063" L x 0.031" W (1.60mm x 0.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW18AN4N2C8ZD Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW18AN4N2C8ZD-FT |
LQW18AN3N9D00D
Murata Electronics North America
LQW18AN43NG00D
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LQW18AN56NG00D
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LQW18AN11NG00D
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel