casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQW15AN4N6C80D
Número da peça de fabricante | LQW15AN4N6C80D |
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Número da peça futura | FT-LQW15AN4N6C80D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQW15 |
LQW15AN4N6C80D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 4.6nH |
Tolerância | ±0.2nH |
Classificação atual | 1.45A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 60 mOhm Max |
Q @ Freq | 32 @ 250MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 9.6GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1006 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.024" (0.60mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQW15AN4N6C80D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQW15AN4N6C80D-FT |
LQW15AN3N4B80D
Murata Electronics North America
LQW15AN3N4B8ZD
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XC2VP30-6FGG676C
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AGL600V2-FG484I
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APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
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5AGXBA5D4F35I5N
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EP2S180F1508C4N
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