casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQP02HQ1N1C02E
Número da peça de fabricante | LQP02HQ1N1C02E |
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Número da peça futura | FT-LQP02HQ1N1C02E |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQP02 |
LQP02HQ1N1C02E Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 1.1nH |
Tolerância | ±0.2nH |
Classificação atual | 850mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 14 @ 500MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 12.8GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 500MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 01005 (0402 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.016" L x 0.008" W (0.40mm x 0.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.013" (0.32mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQP02HQ1N1C02E Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQP02HQ1N1C02E-FT |
LQW18AS72NG0ZD
Murata Electronics North America
LQW18AS82NJ0ZD
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LQW18AS8N2J0ZD
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EP3C80F484C8N
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EP4CE6F17C6N
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XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation