casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQM21PN3R3MG0D
Número da peça de fabricante | LQM21PN3R3MG0D |
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Número da peça futura | FT-LQM21PN3R3MG0D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQM21 |
LQM21PN3R3MG0D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 800mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 207 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 30MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQM21PN3R3MG0D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQM21PN3R3MG0D-FT |
DFE201610R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-R24M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-R47M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612R-H-2R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-1R2M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-3R3M=P2
Murata Electronics North America
XC2S15-6TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150-2CSG484I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG256M
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40C2
Intel
5SGSMD4E1H29C2LN
Intel
5SGSED6N3F45C2L
Intel
A1020B-PL44I
Microsemi Corporation
XC5VLX85-3FFG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation