casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQG15WH3N6S02D
Número da peça de fabricante | LQG15WH3N6S02D |
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Número da peça futura | FT-LQG15WH3N6S02D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQG15 |
LQG15WH3N6S02D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Air |
Indutância | 3.6nH |
Tolerância | ±0.3nH |
Classificação atual | 900mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 90 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 5.5GHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0402 (1005 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.039" L x 0.024" W (1.00mm x 0.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.020" (0.51mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG15WH3N6S02D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQG15WH3N6S02D-FT |
LQG15HS39NH02D
Murata Electronics North America
LQG15HS3N0C02D
Murata Electronics North America
LQG15HS3N3C02D
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LQG15HS5N1C02D
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XC7A200T-3FBG484E
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XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
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