casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LQG15HN3N3C02D
Número da peça de fabricante | LQG15HN3N3C02D |
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Número da peça futura | FT-LQG15HN3N3C02D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LQG15 |
LQG15HN3N3C02D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Multilayer |
Material - Núcleo | Air |
Indutância | 3.3nH |
Tolerância | ±0.2nH |
Classificação atual | 800mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 120 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 6GHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0402 (1005 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0402 (1005 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.022" (0.55mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQG15HN3N3C02D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQG15HN3N3C02D-FT |
LQG15HN6N2C02D
Murata Electronics North America
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LCMXO1200C-3T100I
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Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C7N
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Xilinx Inc.
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