casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / LQA30T200C
Número da peça de fabricante | LQA30T200C |
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Número da peça futura | FT-LQA30T200C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Qspeed™ |
LQA30T200C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 15A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 15A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 16.5ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 500µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA30T200C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQA30T200C-FT |
SBR100-10J
ON Semiconductor
SBR100-10JS
ON Semiconductor
SBR100-16JS
ON Semiconductor
SBR160-10J
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SBR200-10JS
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SBR200-16JS
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SBT100-16JS
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SBT100-16LS
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SBT150-04J
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SBT150-06J
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LCMXO2-1200ZE-1TG100C
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XC4005E-4PQ208I
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M2GL090-1FCSG325I
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XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-2PQG208
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE75F23I7
Intel
EP2SGX60EF1152I4N
Intel
A3P250-1FGG144T
Microsemi Corporation
EP1AGX35DF780C6N
Intel