casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / LQA10T200C
Número da peça de fabricante | LQA10T200C |
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Número da peça futura | FT-LQA10T200C |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Qspeed™ |
LQA10T200C Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Standard |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 5A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 5A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 13.9ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 200V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LQA10T200C Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LQA10T200C-FT |
SBR160-10J
ON Semiconductor
SBR200-10JS
ON Semiconductor
SBR200-16JS
ON Semiconductor
SBT100-16JS
ON Semiconductor
SBT100-16LS
ON Semiconductor
SBT150-04J
ON Semiconductor
SBT150-06J
ON Semiconductor
SBT250-04J
ON Semiconductor
SBT250-06J
ON Semiconductor
SBT250-10J
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel