casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LPWI201610S2R2T
Número da peça de fabricante | LPWI201610S2R2T |
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Número da peça futura | FT-LPWI201610S2R2T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LPWI |
LPWI201610S2R2T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.7A |
Atual - saturação | 1.5A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201610S2R2T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LPWI201610S2R2T-FT |
LQP02HQ3N0B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N0C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N0C02L
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LQP02HQ3N1B02E
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LQP02HQ3N1B02L
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LQP02HQ3N1C02E
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LQP02HQ3N2B02E
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LQP02HQ3N2B02L
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LQP02HQ3N2C02E
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel