casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LPWI201610H1R0T
Número da peça de fabricante | LPWI201610H1R0T |
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Número da peça futura | FT-LPWI201610H1R0T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LPWI |
LPWI201610H1R0T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 1µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 3.1A |
Atual - saturação | 3.6A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 45 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201610H1R0T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LPWI201610H1R0T-FT |
LQP02HQ3N1B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N3B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N3B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N3C02E
Murata Electronics North America
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-3SG32I
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010E-1HQ208C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP20K100EQI240-2X
Intel