casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LPWI201608S2R2T
Número da peça de fabricante | LPWI201608S2R2T |
---|---|
Número da peça futura | FT-LPWI201608S2R2T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LPWI |
LPWI201608S2R2T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.9A |
Atual - saturação | 1.6A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201608S2R2T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LPWI201608S2R2T-FT |
LQP02HQ3N1B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N3B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N3B02L
Murata Electronics North America
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel