casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LPWI201608S2R2T
Número da peça de fabricante | LPWI201608S2R2T |
---|---|
Número da peça futura | FT-LPWI201608S2R2T |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LPWI |
LPWI201608S2R2T Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Thin Film |
Material - Núcleo | Metal Composite |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.9A |
Atual - saturação | 1.6A |
Blindagem | Shielded |
Resistência DC (DCR) | 150 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.032" (0.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LPWI201608S2R2T Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LPWI201608S2R2T-FT |
LQP02HQ3N1B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N1C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2B02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N2C02L
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N3B02E
Murata Electronics North America
LQP02HQ3N3B02L
Murata Electronics North America
LCMXO1200C-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV800-5FG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-FG256I
Microsemi Corporation
A42MX16-2VQG100I
Microsemi Corporation
XC4020XL-1HT176I
Xilinx Inc.
EP2AGX45DF25C4N
Intel
XC7S50-2CSGA324I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FGG144M
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I3N
Intel