casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / LND150N3-G-P014
Número da peça de fabricante | LND150N3-G-P014 |
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Número da peça futura | FT-LND150N3-G-P014 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
LND150N3-G-P014 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
Recurso FET | Depletion Mode |
Dissipação de energia (máx.) | 740mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LND150N3-G-P014 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LND150N3-G-P014-FT |
2N7000
ON Semiconductor
ZVN3310ASTZ
Diodes Incorporated
BS107P
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTZ
Diodes Incorporated
BS107PSTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106A
Diodes Incorporated
ZVN3306A
Diodes Incorporated
ZVN4424A
Diodes Incorporated
2N7000BU
ON Semiconductor
ZVN4206A
Diodes Incorporated
XCVU080-2FFVD1517E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N2F40C2LN
Intel
5SGXMA7N3F45I3LN
Intel
5SGXEB6R3F43C2L
Intel
XC2VP7-7FF672C
Xilinx Inc.
XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation