casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / LND150N3-G-P002
Número da peça de fabricante | LND150N3-G-P002 |
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Número da peça futura | FT-LND150N3-G-P002 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
LND150N3-G-P002 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 500V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 30mA (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 0V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1000 Ohm @ 500µA, 0V |
Vgs (th) (Max) @ Id | - |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10pF @ 25V |
Recurso FET | Depletion Mode |
Dissipação de energia (máx.) | 740mW (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-92-3 |
Pacote / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LND150N3-G-P002 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LND150N3-G-P002-FT |
BS170P
Diodes Incorporated
ZVN4206AVSTZ
Diodes Incorporated
2N7000
ON Semiconductor
ZVN3310ASTZ
Diodes Incorporated
BS107P
Diodes Incorporated
ZVN2106ASTZ
Diodes Incorporated
BS107PSTZ
Diodes Incorporated
ZVP2106A
Diodes Incorporated
ZVN3306A
Diodes Incorporated
ZVN4424A
Diodes Incorporated
XC2V250-5FG256I
Xilinx Inc.
M2GL050-FGG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-FGG484T
Microsemi Corporation
APA1000-PQ208M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-9400C-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA5K3F35C2L
Intel
XC5VLX50-2FFG1153C
Xilinx Inc.
XC6VLX550T-2FFG1759C
Xilinx Inc.
XCKU035-L1SFVA784I
Xilinx Inc.
5SGXMA3H1F35C2LN
Intel