casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Solteiro / LLSD103B-TP
Número da peça de fabricante | LLSD103B-TP |
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Número da peça futura | FT-LLSD103B-TP |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
LLSD103B-TP Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Atual - Média Retificada (Io) | 350mA (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 200mA |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 10ns |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 5µA @ 20V |
Capacitância @ Vr, F | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Mini MELF |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LLSD103B-TP Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LLSD103B-TP-FT |
JANTXV1N1206AR
Microsemi Corporation
JANTXV1N3070UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3595AUR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3595AUS
Microsemi Corporation
JANTXV1N3595UR-1
Microsemi Corporation
JANTXV1N3671A
Microsemi Corporation
JANTXV1N3671AR
Microsemi Corporation
JANTXV1N3673A
Microsemi Corporation
JANTXV1N3673AR
Microsemi Corporation
JANTXV1N3766
Microsemi Corporation
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel