casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / LHL10TB123J
Número da peça de fabricante | LHL10TB123J |
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Número da peça futura | FT-LHL10TB123J |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LH, L Type |
LHL10TB123J Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Ferrite |
Indutância | 12mH |
Tolerância | ±5% |
Classificação atual | 110mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 21 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 79.6kHz |
Freqüência - auto-ressonante | 270kHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.433" Dia (11.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.551" (14.00mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LHL10TB123J Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LHL10TB123J-FT |
LHL08TB122J
Taiyo Yuden
LHL08TB123J
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel