casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / LFUSCD20120B
Número da peça de fabricante | LFUSCD20120B |
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Número da peça futura | FT-LFUSCD20120B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
LFUSCD20120B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 10A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 250µA @ 1200V |
Temperatura de funcionamento - junção | 175°C (Max) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LFUSCD20120B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LFUSCD20120B-FT |
BAS40-04/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLR
NXP USA Inc.
BAS40-05/ZLVL
NXP USA Inc.
BAS40-06/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV170/ZLR
NXP USA Inc.
BAV170/ZLVL
NXP USA Inc.
BAV199/ZLR
NXP USA Inc.
BAV199/ZLVL
NXP USA Inc.
BAW156/ZLR
NXP USA Inc.
BAW156/ZLVL
NXP USA Inc.
LCMXO2-1200HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A54SX08A-FPQG208
Microsemi Corporation
AT40K10LV-3EQC
Microchip Technology
EP2C50F484C8
Intel
5SGXMA5N2F40I3LN
Intel
XC7A200T-L2FBG484E
Xilinx Inc.
A54SX16A-1TQ100M
Microsemi Corporation
AGL250V5-CSG196I
Microsemi Corporation
EPF10K50EQC240-1N
Intel