casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Tiristores - SCRs - Módulos / LDR31850
Número da peça de fabricante | LDR31850 |
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Número da peça futura | FT-LDR31850 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
LDR31850 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Estrutura | Series Connection - SCR/Diode |
Número de SCRs, diodos | 2 SCRs |
Tensão - Estado Desligado | 1800V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 500A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 785A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 250mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 18000A, 20000A |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 300mA |
Temperatura de operação | -40°C ~ 130°C (TJ) |
Tipo de montagem | Chassis Mount |
Pacote / caso | POW-R-BLOK™ Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LDR31850 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LDR31850-FT |
VS-VSKU26/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU26/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/06
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/10
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU41/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-VSKU56/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFE2-6E-5TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
10M40DCF256C8G
Intel
10M08SCU169A7G
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGTFD3H3F35I3N
Intel
5SGXEA3H3F35C2N
Intel
EP2AGZ350FF35I4
Intel