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Número da peça de fabricante | LB2016T2R2MV |
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Número da peça futura | FT-LB2016T2R2MV |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LB |
LB2016T2R2MV Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 2.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 375mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 130 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 70MHz |
Classificações | AEC-Q200 |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 0806 (2016 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamanho / dimensão | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.071" (1.80mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LB2016T2R2MV Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LB2016T2R2MV-FT |
LBR2518T1R0MV
Taiyo Yuden
LBR2518T220KV
Taiyo Yuden
LBR2518T220M
Taiyo Yuden
LBR2518T2R2M
Taiyo Yuden
LBR2518T2R2MV
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LBR2518T470KV
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LBR2518T470M
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LBR2518T4R7M
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LBC2518T102K
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LBM2016T2R2J
Taiyo Yuden
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation