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Número da peça de fabricante | LAL04NAR27M |
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Número da peça futura | FT-LAL04NAR27M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL04NAR27M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 270nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 1.32A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 110 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 270MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04NAR27M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL04NAR27M-FT |
LAL03VB561K
Taiyo Yuden
LAL03VB5R6K
Taiyo Yuden
LAL03VB680K
Taiyo Yuden
LAL03VB681K
Taiyo Yuden
LAL03VB6R8K
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LAL03VB820K
Taiyo Yuden
LAL03VB821K
Taiyo Yuden
LAL03VB8R2K
Taiyo Yuden
LAL03VBR22M
Taiyo Yuden
LAL03VBR27M
Taiyo Yuden
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3C80U484C7N
Intel
10M08DAF256I7G
Intel
5SGXMB5R3F40C2LN
Intel
5SGXEA5K3F35I3LN
Intel
EP4SE530H35C2
Intel
XC4VFX100-10FFG1152C
Xilinx Inc.
LFE3-70E-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation