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Número da peça de fabricante | LAL04KB1R2M |
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Número da peça futura | FT-LAL04KB1R2M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL04KB1R2M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 880mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 210 mOhm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 144MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.157" Dia x 0.386" L (4.00mm x 9.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL04KB1R2M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL04KB1R2M-FT |
LAL03TB102K
Taiyo Yuden
LAL03TB120K
Taiyo Yuden
LAL03TB121K
Taiyo Yuden
LAL03TB150K
Taiyo Yuden
LAL03TB151K
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Taiyo Yuden
LAL03TB181K
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LAL03TB1R0K
Taiyo Yuden
LAL03TB1R0M
Taiyo Yuden
LAL03TB1R2M
Taiyo Yuden
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel