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Número da peça de fabricante | LAL03VB3R3K |
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Número da peça futura | FT-LAL03VB3R3K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03VB3R3K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 3.3µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 210mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.4 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 94MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03VB3R3K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03VB3R3K-FT |
LAL03TA271K
Taiyo Yuden
LAL03TA2R2M
Taiyo Yuden
LAL03TA2R7M
Taiyo Yuden
LAL03TA330K
Taiyo Yuden
LAL03TA331K
Taiyo Yuden
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Taiyo Yuden
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LAL03TA3R9K
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LAL03TA470K
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel