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Número da peça de fabricante | LAL03TBR68M |
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Número da peça futura | FT-LAL03TBR68M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03TBR68M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 680nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 310mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 670 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 190MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TBR68M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03TBR68M-FT |
LAL03NAR33M
Taiyo Yuden
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XC3S400-4FG456I
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EP20K300EFI672-2X
Intel
5SGXMA3K3F40C4N
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EP4SE530F43C4ES
Intel
XC5VLX50-2FF1153I
Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
Microsemi Corporation
A40MX02-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780C7N
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