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Número da peça de fabricante | LAL03TB1R8M |
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Número da peça futura | FT-LAL03TB1R8M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL03TB1R8M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.8µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 240mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 1.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 121MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.102" Dia x 0.276" L (2.60mm x 7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL03TB1R8M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL03TB1R8M-FT |
LAL03NA181K
Taiyo Yuden
LAL03NA1R0M
Taiyo Yuden
LAL03NA1R2M
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XC6SLX100-N3FG676I
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5SGXEA5N3F40I4N
Intel
XC5VLX85T-1FFG1136I
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FFG672I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB5H4F35I3N
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EP4CE75F29I7N
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