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Número da peça de fabricante | LAL02TB1R2K |
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Número da peça futura | FT-LAL02TB1R2K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | LA, L Type |
LAL02TB1R2K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo | - |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 1.2µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 260mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 900 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 7.96MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 110MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -25°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 7.96MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.091" Dia x 0.134" L (2.30mm x 3.40mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
LAL02TB1R2K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | LAL02TB1R2K-FT |
IRF03SH820K
Vishay Dale
IRF03SH821K
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IRF03SHR22K
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IRF03ST102K
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IRF03ST1R0K
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ICE40HX1K-VQ100
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XCKU095-1FFVC1517I
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XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
XC4010E-4HQ208C
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