Número da peça de fabricante | L412F |
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Número da peça futura | FT-L412F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
L412F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Estrutura | Bridge, Single Phase - SCRs/Diodes (Layout 1) |
Número de SCRs, diodos | 2 SCRs, 2 Diodes |
Tensão - Estado Desligado | 600V |
Corrente - Estado On (It (AV)) (Max) | 100A |
Corrente - Estado On (It (RMS)) (Max) | 22A |
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 2.5V |
Gatilho de Gate atual (Igt) (Max) | 100mA |
Corrente - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | - |
Atual - Hold (Ih) (Max) | 100mA |
Temperatura de operação | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo de montagem | - |
Pacote / caso | Module |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L412F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | L412F-FT |
IRKT106/12A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/14A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT106/16A
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/04
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/14
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT136/16
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/08
Vishay Semiconductor Diodes Division
IRKT142/12
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S1200E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC3S1200E-4FG320I
Xilinx Inc.
XC4010XL-1PQ208I
Xilinx Inc.
AGLN250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2SG
Intel
5SGSMD8N1F45C2LN
Intel
A42MX09-TQ176I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100FC324-3
Intel