casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / L1210R470MDWIT
Número da peça de fabricante | L1210R470MDWIT |
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Número da peça futura | FT-L1210R470MDWIT |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | L-DWI |
L1210R470MDWIT Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 47µH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 480mA |
Atual - saturação | 390mA |
Blindagem | - |
Resistência DC (DCR) | 670 mOhm |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | 10MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -40°C ~ 105°C |
Frequência de Indutância - Teste | 100kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.106" (2.70mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
L1210R470MDWIT Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | L1210R470MDWIT-FT |
74404024100
Wurth Electronics Inc.
74404024150
Wurth Electronics Inc.
74404024180
Wurth Electronics Inc.
74404024220
Wurth Electronics Inc.
TYS252010L1R0N-10
Laird-Signal Integrity Products
TYS252010L2R2N-10
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TYS252010L4R7M-10
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TYS252010L6R8M-10
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TYS252010LR68N-10
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TYS252012L100M-10
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XA6SLX45-3CSG484I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC6SLX100T-2FG676I
Xilinx Inc.
XC3S400-5PQG208C
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A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
EP3C80F484C8N
Intel
EP4CE6F17C6N
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XC6VLX130T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A40MX04-PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-3B256I
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