casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solteiro / KSD363O
Número da peça de fabricante | KSD363O |
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Número da peça futura | FT-KSD363O |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
KSD363O Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | NPN |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 6A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 120V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 100mA, 1A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 1mA (ICBO) |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 1A, 5V |
Potência - Max | 40W |
Freqüência - Transição | 10MHz |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
KSD363O Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | KSD363O-FT |
FJP5021OV
ON Semiconductor
FJP5021OVTU
ON Semiconductor
FJP5021R
ON Semiconductor
FJP5021RTU
ON Semiconductor
FJP5021RV
ON Semiconductor
FJP5021RVTU
ON Semiconductor
FJP5021Y
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FJP5027O
ON Semiconductor
FJP5027R
ON Semiconductor
FJP5027RHTU
ON Semiconductor
XC6SLX100-3FG484I
Xilinx Inc.
A3P1000-2PQG208
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45C2LN
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5SGXMABK3H40C2LN
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EP1AGX60EF1152I6N
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EP3SL200F1152I4N
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XC7K325T-2FFG900I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H2F34E1SG
Intel
EP4SGX180FF35C2X
Intel